TOP ＞大同大学紀要
| 大同大学紀要 |
|
1. 堀尾吉已: 反射高速電子回折における入射電子波動場の計算, 大同大学紀要, 56 (2020) pp.1-8. 2. 堀尾吉已, 柚原淳司, 高桑雄二: InP(111)A表面二重層の緩和, 大同大学紀要, 54 (2018) pp.17-22． 3. 堀尾吉已, 山﨑 涼: グラファイト結晶に対するRHEED波動場, 大同大学紀要, 53, 2017, pp.37-41． 4. 堀尾吉已, 山﨑 涼, 二村真史: オージェ電子分光法を備えた中速電子回折装置の開発とそれによるInP(111)B表面の温度依存性の観察, 大同大学紀要, 52 (2016) pp.113-118． 5. 堀尾吉已, 安部功二, 高桑雄二: RHEEDロッキング曲線によるZnO(0001)表面の極性評価,大同大学紀要, 51 (2015) pp.75-80. 6. 堀尾吉已, 田代将人: 電界放射型中速電子回折装置の開発, 大同大学紀要, 50 (2014) pp.127-132. 7. 堀尾吉已: GeハットクラスタからのLEED図形, 大同大学紀要, 49 (2013) pp.119-123. 8. 堀尾吉已: 反射高速電子回折法を用いたSi(001)表面構造解析, 大同大学紀要, 48 (2012) pp.83-88. 9. 堀尾吉已: 表面電子回折法を用いたGeナノクラスタの形態評価, 大同大学紀要, 47 (2011) pp.59-64. 10. 堀尾吉已, 原 裕一郎: チタン薄膜の熱酸化による酸化チタンの形成, 大同大学紀要, 46 (2010) pp.45-49. 11. 堀尾吉已: 円錐型ナノアイランドに対する透過電子回折のスポット形状, 大同大学紀要, 45 (2009) pp.53-57. 12. 堀尾吉已, 酒井大輔: 吸着原子からのオージェ電子強度と入射電子波動場との相関性, 大同大学紀要, 44 (2008) pp.95-99. 13. 堀尾吉已: アストロドームRHEEDからの回折図形, 大同大学紀要, 41 (2005) pp.75-78. 14. 堀尾吉已, 原 裕一郎: 自作電子衝撃加熱法を用いたチタン薄膜の形成, 大同大学紀要, 40 (2004) pp.111-114. 15. 堀尾吉已: 環境浄化光触媒物質の結晶性薄膜成長とその有機分解能力に関する研究, 大同大学紀要, 39 (2003) pp.73-78. 16. Y. Horio: Growth mode and surface morphology of insulator film grown on semiconductor substrate, 大同大学紀要, 38 (2002) pp.73-80. 17. 堀尾吉已: エネルギーフィルター型RHEED図形内の振動相関熱散漫散乱, 大同大学紀要, 37 (2001) pp.87-90. 18. 堀尾吉已: 微傾斜Si(001)表面からのEF-RHEED図形, 大同大学紀要, 36 (2000) pp.113-118. 19. 堀尾吉已: RHEED結晶内電子波動場による選択的表面原子位置解析法の研究, 大同大学紀要, 35 (1999) pp.125-128. |